Microelectronic machinery and apparatus

Description

Le présent marché porte sur les prestations de fourniture, livraison, installation, mise en service et formation à l'utilisation d’un bâti de croissance épitaxiale par jets moléculaires de semi-conducteurs. L'objectif principal du système sera de fournir des matériaux 2D «au-delà du graphène», notamment les chalcogénures lamellaires, à divers collaborateurs, intéressés par ces matériaux, non seulement pour des études fondamentales de physique, mais aussi pour la création de la prochaine génération de dispositifs électroniques, optoélectroniques et spintroniques. Étant donné que les propriétés électroniques de ces matériaux sont très sensibles au nombre de couches dans le film mince, le système MBE doit être capable de fournir des échantillons hautement homogènes (en termes d'épaisseur et de composition) sur un substrat de 2 pouces. Cette nouvelle chambre de croissance MBE sera connectée sur un tunnel ultravide couplant les systèmes de croissance existant actuellement et d’autres chambres annexes. Ceci permettra le transfert en conditions ultravide des échantillons produit dans cette nouvelle chambre vers les autres chambres de croissance et vers les chambres d’analyse (XPS, STM). L’ensemble du dispositif existant utilise un porte-échantillon de type «molyblock» RIBER 32P pour les substrats de 2 pouces de diamètre et un système de transfert frontal (échantillon en position verticale). Voir le CCP pour les spécifications techniques.