Microelectronic machinery and apparatus and microsystems

Description

Le CEA-LETI souhaite acquérir un équipement de dépôt pour ses activités de recherche et développement en optique et photonique sur les semi-conducteurs II-VI et III-V. La mise au point de ces couches nécessite un équipement multi-matériaux (ZNS, AL2O3, SIOX, SIN). Ces films seront réalisés par des techniques de dépôt de type ALD (Atomic Layer Deposition). Cet équipement doit être capable de traiter des substrats de silicium ou des substrats II-VI et III-V jusqu'à 200 mm de diamètre. Ce bâti doit permettre de réaliser un plasma de préparation de surface et de fonctionner en mode PEALD (Plasma Assisted Atomic Layer Deposition). Il doit être compatible avec une salle blanche de qualité micro-électronique. Le CEA-LETI souhaite acquérir un équipement de dépôt pour ses activités de recherche et développement en optique et photonique sur les semi-conducteurs II-VI et III-V. La mise au point de ces couches nécessite un équipement multi-matériaux (ZNS, AL2O3, SIOX, SIN). Ces films seront réalisés par des techniques de dépôt de type ALD (Atomic Layer Deposition). Cet équipement doit être capable de traiter des substrats de silicium ou des substrats II-VI et III-V jusqu'à 200 mm de diamètre. Ce bâti doit permettre de réaliser un plasma de préparation de surface et de fonctionner en mode PEALD (Plasma Assisted Atomic Layer Deposition). Il doit être compatible avec une salle blanche de qualité micro-électronique.