Microelectronic machinery and apparatus

Description

La configuration du système consiste en une chambre de croissance MBE capable d'évaporer 10 ou plus matériaux sources sur des substrats de 2 « de diamètre ou plus avec un haut degré d'uniformité. Au moins 3 de ces matériaux de base seront des métaux de transition s'évaporant à haute température et au moins 7 seront des métaux et semi-conducteurs s'évaporant à températures accessible par des cellules de Knudsen (K-cells) conventionnels. L'intégralité du système doit être compatible avec la croissance des composés séléniures et des tellurures. Le système doit être équipé d'un sas de chargement à introduction rapide et d'une chambre de transfert/préparation. En outre, le système souhaité devrait avoir la possibilité d'être connecté sous ultravide à un microscope tunnel à balayage de type Omicron VT-STM, de faire croître des échantillons sur des petits supports d'échantillons de type pelle Omicron et de les transférer in situ de la chambre de croissance au STM. 1.5 Spécifications techniques et caractéristiques fonctionnelles de l'équipement 1.5.1 Enceinte ultra-vide MBE La chambre de croissance ultravide avec cryo-panneau devrait permettre l'évaporation de 10 matériaux au minimum, dont au moins 7 seront évaporé en utilisant les K-cells ou crackers conventionnels (température d'opération maxi. 1400ºC), et au moins 3 seront évaporés en utilisant les sources canon à électrons. L'ensemble du bâti de croissance doit résister à l'effet corrosif du sélénium et du tellure. La géométrie proposée des brides-cellules avec des cellules proposés (1.5.3) devrait avoir comme résultat une variation en épaisseur de moins de 2 % sur un substrat de diamètre deux pouces. La configuration des sources sera: Soit Configuration 1: Au moins 10 piquages pour les sources de matériaux, dont: — au moins 8 brides-cellules de taille ≥ DN 63CF avec le même angle d'incidence par rapport du substrat, — au moins 2 brides-cellules de taille ≥ DN 40CF. Soit Configuration 2: Au moins 9 piquages pour les sources de matériaux, dont: — au moins 6 brides-cellules de taille ≥ DN 63CF avec le même angle d'incidence par rapport du substrat, — au moins 2 brides-cellules de taille ≥ DN 40CF, — au moins 1 bride ≥ DN 160CF pour le montage d'une source canon à électrons multi-pocket horizontale. La chambre doit avoir les caractéristiques techniques suivantes: — vide de base < 5E-11 mbar après étuvage (sans cryo-panneau refroidi), — cryo-panneau avec connexions de type « Vaccuum Barrier Systems » (VBS), — pompe ionique (400 L/s minimum) avec vanne tiroir manuelle, — pompe par sublimation de titane avec cryo-panneau, — piquage (DN160 CF) blanké où une deuxième pompe peut être ajoutée à l'avenir, — vanne tiroir manuelle entre chambre de croissance et de transfert, — vanne d'équerre UHV pour pompage et remise à l'air, — les piquages pour les caches pour chaque bride-cellule, — les piquages pour les mesures in-situ suivants: 1) pyrométrie, avec hublot et cache-hublot manuel; 2) ellipsométrie — « blankés »; 3) « optical flux monitoring » — « blankés »; 4) 2 pour flux monitors (voir 1.5.4); 5) RGA (voir 1.5.5); 6) RHEED, avec écran RHEED et cache-hublot manuel. (voir 1.5.6); 7) ≥ 1 pour jauges à vide — hublots de visée (avec cache-hublots avec actionnement manuel) permettant l'observation de toutes les cellules pendant de la croissance, et permettant d'apercevoir le transfert des échantillons et l'échantillon en position de croissance. À spécifier sur le plan du bâti, — une jauge Baya.