LPCVD – Prozessanlage

Description

Der Auftrag umfasst die Lieferung und Installation eines Niederdruck-Hochtemperatur-Ofens zur chemischen Gasphasenabscheidung (LPCVD-Ofen). Der LPCVD-Ofen soll Abscheidung- und Temperprozesse unter verschiedenen Atmosphären durchführen können. Der Ofen wird für die thermische Abscheidung und das Tempern/die thermische Behandlung von dünnen Schichten mikro-/nanoelektronischer Bauelemente verwendet. Er muss mit den CMOS-Normen kompatibel und in der Lage sein, Wafer mit einem Mindestdurchmesser von 150 mm unter Atmosphären- und Vakuumbedingungen zu prozessieren. Die Anlage wird sich in einem Reinraum der ISO-Klasse 6 (DIN EN ISO 14644-1) befinden. Lot 1: Der Auftrag umfasst die Lieferung und Installation eines Niederdruck-Hochtemperatur-Ofens zur chemischen Gasphasenabscheidung (LPCVD-Ofen). Der LPCVD-Ofen soll Abscheidung- und Temperprozesse unter verschiedenen Atmosphären durchführen können. Der Ofen wird für die thermische Abscheidung und das Tempern/die thermische Behandlung von dünnen Schichten mikro-/nanoelektronischer Bauelemente verwendet. Er muss mit den CMOS-Normen kompatibel und in der Lage sein, Wafer mit einem Mindestdurchmesser von 150 mm unter Atmosphären- und Vakuumbedingungen zu prozessieren. Die Anlage wird sich in einem Reinraum der ISO-Klasse 6 (DIN EN ISO 14644-1) befinden.