Microelectronic machinery and apparatus

Description

Physical Vaporphase Deposition „PVD" (Sputterdepositionsanlage). Bei der zu beschaffenden Anlage „CDPP_PVD" handelt es sich um eine Sputterdepositionsanlage (PVD). Die Anlage muss über 4 Sputtertargets verfügen und muss sowohl im DC-, als auch RF-Magnetron Sputtermodus betrieben werden können. Darüber hinaus muss die Anlage über eine Wafer-Vorreinigung verfügen, mit deren Hilfe organische und anorganische Anhaftungen, sowie natürliche Oxide von der Waferoberfläche reaktiv und/oder mechanisch desorbiert werden können. Insbesondere muss die Anlage über einen Kassetten-Lademechanismus verfügen, der es erlaubt mehrere Wafer (verschiedener Größe) und/oder Einzelproben in einem „Batch-Mode" Verfahren sequentiell zu beschichten, ohne den Vakuumzustand aufzuheben. Darüber hinaus muss die Anlage „Through-The-Wall" installiert werden, d. h., die Be-/Entladung muss über eine separate Vakuumkammer (hier Kassetten-Ladekammer) erfolgen, die vom ISO5-Reinraum des CDPP zugänglich ist, während die Hauptkonsole, die u. a. die Prozesskammer beinhalten muss, im ISO7-Reinraum des CDPP installiert werden muss. Der Transfer zwischen diesen Kammern muss automatisch erfolgen.