Fourniture et installation d'un équipement de dépôt PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)

Description

Dans le cadre du CPER IMITECH et NANOFUTUR, l'IEMN (Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie) souhaite faire l'acquisition d'un équipement de dépôt PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Lot 1: L’équipement souhaité est destiné au dépôt de couches minces utilisant la technologie PECVD. L’équipement doit permettre le dépôt de matériaux en couches minces, présentant des indices optiques variables, tels que l’oxyde de silicium (SiO2), le nitrure de silicium (Si3N4) et divers oxy-nitrures (SiOxNy) ; le silicium hydrogéné (a-Si-H) ; et des oxydes élaborés à partir d’orthosilicate de tétraéthyle (TEOS). L’objectif est d’obtenir des couches de très bonne qualité avec une épaisseur et un indice de réfraction parfaitement maîtrisés. Les dépôts doivent être possibles sur des substrat rigides (Si, GaAs, GaN, quartz, etc.) comme sur des substrats souples polymère (e.g. Kapton). L’équipement doit aussi permettre de réaliser des dépôts à plus faible température (80 °C) et avec de très faibles contraintes mécaniques.