Dostawa wertykalnych tranzystorów typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN.

Description

Przedmiotem zamówienia są wertykalne tranzystory typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN. Tranzystory muszą spełniać następujące parametry: - tranzystory (40 sztuk): • typu Trench MOSFET • rozmiar 3 mm x 3 mm • w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN) • otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE) • zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 650 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A • zapakowane - tranzystory (80 sztuk): • typu Trench MOSFET • rozmiar 3 mm x 3 mm • w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN) • otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE) • zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 1200 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A • zapakowane Lot 1: Przedmiotem zamówienia są wertykalne tranzystory typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN. Tranzystory muszą spełniać następujące parametry: - tranzystory (40 sztuk): • typu Trench MOSFET • rozmiar 3 mm x 3 mm • w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN) • otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE) • zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 650 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A • zapakowane - tranzystory (80 sztuk): • typu Trench MOSFET • rozmiar 3 mm x 3 mm • w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN) • otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE) • zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 1200 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A • zapakowane