Laboratory, optical and precision equipments (excl. glasses)

Description

Le présent marché a pour objet la fourniture, la livraison, l'installation, la mise en service et la formation à l'utilisation de multiples équipements scientifiques destinés au Centre d'études et de recherches technologiques en microélectronique (Certem) phase 2020, dans le cadre de la quatrième tranche d'acquisition. Système de mesure de caractérisation électrique de composants. Dans la bande 1khz- 3 Ghz. Interféromètre laser pour la caractérisation d'échantillons de taille micrométrique placés sous une station sous pointe. Appareil permettant de mesurer les paramètres électriques des composants faible et forte puissance. Mise en température d'un socket sur PCB dans la gamme de température de -65 à +220 degrés. L'objectif de ce banc est de reproduire le comportement fréquentiel d'un réseau électrique pour tester les communications par courant porteur en ligne (CPL) à l'aide d'une carte FPGA. L'objectif de ce banc est de mesurer la fonction de transfert d'une ligne électrique en injectant un courant à fréquence variable à un bout de la ligne et en mesurant ce courant à l'autre bout de la ligne. L'équipement SECM permet l'étude électrochimique de surfaces immergées dans une solution électrolytique avec des électrodes de dimension micrométrique (ou plus faible). L'Équipement retire automatiquement, après amincissement des plaquettes, le tape de protection laminé en face avant des plaquettes avant leur amincissement («Back-Grinding») afin d'en protéger les motifs lors de cette étape. L'Équipement est capable de processer des plaquettes standards (non-taïko) de diamètre 150 mm et 200 mm ainsi que des plaquettes Taïko de diamètre 150 mm et 200 mm. Lorsqu'Une cassette contenant des plaquettes est chargée dans l'équipement, l'équipement prélève une plaquette parmi celles ayant été chargées, procède à son centrage et son alignement, procède ensuite si nécessaire à une insolation UV du tape situé en face avant, retire ensuite le tape situé en face avant (insolé ou non) à l'aide d'un tape de peeling adapté, et enfin décharge la plaquette détapée dans une cassette de sortie. L'Équipement amincit automatiquement des plaquettes de 150 mm et 200 mm de diamètre en amincissement Taïko. En complément, l'équipement est également capable d'amincir l'anneau Taïko de plaquettes amincies Taïko au préalable (ring-grinding) de diamètre 150 mm et 200 mm. Cet équipement sera utilisé pour l'observation d'échantillons de natures et propriétés diverses, notamment de matériaux semiconducteurs (Silicium, Sic, Gan, ...), de diélectriques ou de polymères. Le Microscope Electronique à Balayage devra également être équipé d'un système de spectroscopie à rayons X à dispersion d'énergie (Eds), permettant d'effectuer des analyses quantitatives de composition élémentaire sur les échantillons observés. Unité électronique de mesure contenant deux détections synchrones indépendantes permettant, en la couplant à un microscope en champ proche (Spm), d'imager la réponse piézoélectrique d'un matériau en mode Dual Frequency Resonance Tracking (Dfrt). Le système devra également pouvoir être utilisé comme spectroscope d'impédance. Plateforme multi-voies (2x128 éléments) dédiée aux tests en émission, émission/ réception de réseaux de sources ultrasonores réalisées sur la base de technologies MEMS, de type électrostatique (Transducteurs capacitifs micro-usinés) ou piézoélectrique (film épais, film mince ou matériau massif). Plateforme complète contenant deux systèmes séparés mais basés sur une même configuration pour l'outil de pilotage. Les systèmes seront dédiés à la polarisation et à la caractérisation de matériaux piézoelectriques sous diverses formes (massive, films épais et fins). Polisseur ionique (broad ion beam) pour préparation d'échantillons en coupe (Cross Section) et en surface (flat milling) destinés à l'observation en microscopie électronique et à la mesure AFM. L'Équipement permettra l'observation et la mesure de produits réalisés à Tours. L'équipement devra observer des dimensions micrométriques sur des tranches de 150 et 200 mm et des échantillons de 10x10mm2. Analyseur de réseaux vectoriel RF permettant de mesurer les réponses en fréquences ainsi que les coefficients de réflexion de prototypes (paramétres S). Générateur radiofréquence délivrant une fréquence au moins jusqu'à 6 Ghz.