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Description

Im Rahmen des Projektes "Innovative CVD-Technologie - energieeffizient, ressourcenschonend und emissionsarm" möchte die CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH in eine Hochtemperatur-CVD-Anlage (CVD - Chemical Vapor Deposition) der neuesten Generation mit verschiedenen Möglichkeiten zum flexiblen Einsatz in der Schichtabscheidung auf großflächige Substrate investieren. Lot 1: Hochtemperatur-Anlage 01 Stck. Lieferumfang: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH benötigt eine Anlage zur thermischen Oxidation und Temperung für doppelseitig prozessierte 4- und 6- Zoll Wafer. Vorhandene Medien sind: - Stromanschluss 3-phasig, 230/400 V - Gase: Stickstoff, Sauerstoff, Wasserstoff - Kühlwasserkreislauf - technische Abluft - Ethernetanschluss - Reinstluft für Pneumatik (> 6 Bar) - Aufstellfläche + Wartungsbereich 8000 mm x 3700 mm - Max. Anlagenhöhe: 2800 mm - DCE-Bubbler Die Anlage soll mit den vorhandenen Medien und zusätzlichem Wärmetauscher zu betreiben sein. Prozessdaten sollen über den Ethernetanschluss zu exportieren sein. Raumplan, mit vorhandenen Medien und Transportwegen können auf Anfrage zugestellt werden. Anlagenbeschreibung: Technische Daten: Anforderungen an das Basissystem: - Hochtemperatur-Anlage für 4-Zoll und 6-Zoll Wafer, automatisches Beladen von beiden Wafergrößen mit einem Pitch von 4,76 mm und 9,52 mm ohne Umbau möglich - Der Anlagenkorpus soll für 4 Rohre ausgestattet sein, wobei 2 davon bestückt sind - Prozessführung: o 2 Rohre, atmosphärischer Prozess - 1x Stickstoff-/Wasserstoff Tempern <450°C mit Sicherheitsverschluss der Tür und H2-Fackel - 1x Nassoxidation mit H2-Verbrennung + DCE-Oxidation bis 1050 °C o Grenzparameter: - Reproduzierbarkeit (Wafer zu Wafer): < +/-3 % - Charge zu Charge Stabilität: < +/-2 % o Prozessanforderungen: - Trockenoxidation SiO2-Schicht (70 nm): - Scheibenhomogenität: < 3 % - Chargenhomogenität: < 5 % - Brechungsindex (Lambda=632,8 nm): 1,46+/-0,02 - Partikelzuwachs (> 0,3 µm/> 1,6 µm): 50/10 - Natriumionen-Konzentration: <=0,15 x 10e11/cm e2 - mittlere Dichte der festen Oxidladung (-0,6 +/- 0,3) *10e11 cm e-2 - mittlere Durchbruchfeldstärke >= 8 MV/cm - Nassoxidation mit H2-Verbrennung SiO2-Schicht (190 nm): - Scheibenhomogenität: < 3 % - Chargenhomogenität: < 5 % - Brechungsindex (Lamdba=632,8 nm): 1,46+/-0,02 - Partikelzuwachs (> 0,3 µm/> 1,6 µm): 50/10 - Natriumionen-Konzentration: < +/- 0,5 x 10e11/cm e2 - mittlere Dichte der festen Oxidladung < +/- 0,5 10e11 cm e-2 - mittlere Durchbruchfeldstärke >= 8 MV/cm - Anforderungen an Wafer-Handling: o Waferanzahl: 100 6-Zoll-Wafer o Waferhandling ausschließlich im 6 mm breiten Randbereich (doppelseitig polierte Wafer) o Kassettenstation, 25 Wafer pro Kassette, e-Pak kompatibel o Flat aligner für 6-Zoll Wafer o Vollautomatisches Beladen von Waferkassette auf Boote für 6-Zoll- und 4-Zoll Wafer o Boote werden vom Paddle im Rohr abgesetzt, das Paddle ist während des Prozesses nicht im Rohr o Möglichkeit Boote vorzubeladen und automatisch zu starten - Temperaturregelung: o Länge des Bereichs konstanter Temperatur (Flat Zone) 600 mm o 5 Heizzonen o Maximale Abweichung der Temperatur in Flat Zone +/- 0,5 °C o Heizkassetten und Festkörperrelais wassergekühlt um Einflüsse zwischen den Rohren zu verhindern o Regelung auf Thermoelemente im Rohr o Bei Bruch eines inneren Thermoelements wird automatisch auf ein äußeres Thermoelement umgeschaltet o Redundante Temperaturmessung am Rohr - Druckregelung: o Rohrdichtheitstest implementiert o Automatischer Lecktest der Rohre vor Start der Oxidation o Druckmessung für automatische Druckkompensation um Schwankungen des Umgebungsdruckes durch das Wetter auszugleichen - EtherCAT Bus-Kommunikation zwischen Komponenten - Bereitstellung der Prozessparameter und der Rezepte, die zum Erreichen der oben spezifizierten Schichteneigenschaften nötig sind - Installation durch die Wand, Grau-/Reinraumtrennung Anforderungen an die Software: - Graphische Benutzeroberfläche in deutscher und englischer Sprache - Prozesssteuerung - Rezeptorganisation - Datenexport in grafischer und digitaler Form - Visualisierung und Analyse von Prozessdaten - Versionskontrolle der Rezepte Inkl. Zubehör: - Steuer-PC: - mit Anlagensoftware s.o. - LAN-Anschluss, 1000 Mbit/s - Betriebssystem Windows 10 Professional, englisch und deutsch - Monitor, Full HD, 19-Zoll - Tastatur und Maus - Fernwartung durch Remote Access - NAS-Server zur Speicherung der Rezepte und Prozessdaten. NAS-System mit RAID 1 und 2 x 1 TB Festplatte. Alle Daten auf den Festplatten werden gespiegelt - Remote Control vom Büroarbeitsplatz bzw. Anschluss an bestehendes System - 6-Zoll Quarzboote für alle Rohre (3° tilt; pitch: 4.76 mm) - Externer Wärmetauscher um das Anlagenkühlwasser von dem Standortkühlwasser zu trennen - Webcam zur Überwachung der Be- und Entladung der Wafer - Uninterruptible power supply (UPS) - Signalampel - Spülbares Gaskabinett mit Gaslinien und MFCs, mit unabhängigem Sicherheitssystem für jedes Prozessrohr, Gassensoren zur Überwachung von HCl und H2 - Zweites Steuerungspanel an der Hinterseite der Anlage im Grauraumbereich Weiteres: - Anlage mit Sicherheitssystem (Interlock), um Hauptgefahren für Leib und Leben abzuwenden, welches unabhängig von der Steuersoftware arbeitet (EN13849-1:2006) - Anlage beinhaltet Emergency Stop in der Software und mechanische Taster an der Anlage - zum Betrieb notwendige Geräte müssen im Lieferumfang der Anlage enthalten sein - Gewährleistung von 24 Monaten ab Endabnahme der Anlage, jedoch spätestens 3 Monate nach Lieferung - Transport, Versicherung, Zollgebühren, Aufstellung und Installation beim Kunden und Reisekosten sind im Endpreis inklusive - garantierte Verfügbarkeit von Ersatzteilen von mindestens 10 Jahren - kostenlose Servicehotline während der Gewährleistung Dokumente: - Bedienungsanleitung für alle Komponenten in deutscher und englischer Sprache - Installationsvorschrift - Wartungshandbuch - Technisches Handbuch - Angabe eines Servicekonzepts - Dokumentation der OEM-Teile - CE Kennzeichnung Expertise - Angabe von 2 Referenzen über vergleichbare Anlagen - Lieferant weist die technologischen Parameter an einer Demoanlage mit gleicher Ausstattung unter Reinraumbedingungen in Form von Testwafern nach. Ergänzungen unter "Zusätzliche Angaben". Mittelherkunft aus europäischen Fonds für regionale Entwicklung (EFRE-OP 2014 bis 2020) als Teil der Reaktion der Union auf die COVID-19-Pandemie (REACT-EU): Förderprogramm: Richtlinie des Freistaats Thüringen zur Förderung von Forschung, Technologie und Innovation (FTI-Richtlinie) vom 18.08.2015 (ThürStAnz. Nr. 36/2015 vom 07.09.2015, S. 1494-1512), geändert am 17.12.2018, in Kraft getreten am 18.12.2018 (ThürStAnz.-Nr. 3/2019, S. 201-203)