Research, testing and scientific technical simulator

Description

Fornitura, installazione e resa operativa di un sistema di litografia a fascio dielettroni (EBL) Fabbisogno: Il sistema di litografia a fascio elettronico è necessario per eseguire le attività di litografia ad alta risoluzionein scrittura diretta previste nel progetto e dovrà avere caratteristiche tali da soddisfare le possibili richiesteche verranno dalle committenze industriali e dai gruppi di ricerca che beneficeranno dell’infrastruttura NanoMicroFab. L’infrastruttura infatti ha come obiettivo l’interazione con le realtà industriali e il tessuto produttivo locale, per cui è essenziale che le strumentazioni impiegate abbiano la flessibilità necessaria perinterfacciarsi con i prodotti della committenza. Caratteristiche tecniche: Allo scopo di realizzare quanto sopra descritto, e sulla base della pregressa esperienza su sistemi analoghi, sivaluta che il sistema da acquisire debba possedere le seguenti caratteristiche: 1) alloggiamento e scrittura sia di campioni irregolari e di piccole dimensioni, sia di wafer e maschere ottiche didimensioni di almeno 4 pollici; 2) tensione di accelerazione degli elettroni ≥ 50 kV; nel caso di sistemi che lavorino a 50kV, deve essere inclusoun software per le correzioni di prossimità; 3) movimentazione dello stage con controllo ad interferometria laser; 4) sensore di altezza per controllo della distanza di lavoro (working distance) ed del fuoco; 5) alta risoluzione di scrittura (≤10nm); 6) alta capacità di riallineamento (≤20 nm); 7) alta velocità di scrittura (≥ 50MHz); 8) corrente del fascio di elettroni variabile in un range che renda possibile il passaggio da correnti alte (>20nA) a correnti basse (<1nA) durante un’esposizione senza intervento dell’operatore sull’hardware (ad esempio, leaperture) del sistema; 9) stabilità di scrittura su larga area (≥ 4 pollici); 10) stabilità di corrente del fascio nel tempo (variazione della corrente del fascio ≤±0.2%/h); 11) stabilità di posizionamento del fascio elettronico nel tempo (controllo del drift ≤120nm/8h); 12) sistema di calibrazione automatico del fascio di elettroni e delle aberrazioni dovute alla deflessione(astigmatismo, messa a fuoco, forma del fascio fuori asse); 13) capacità di eseguire litografie in scrittura diretta su singolo livello a singolo campo e a più campi congiunzione dei diversi campi (stitching) ≤20 nm (m+3ς) @ field 100 μm; 14) scrittura su più livelli con allineamento mediante markers per ciascuno livello (overlay) con errore diriallineamento ≤20 nm (m+3ς) @ field 100 μm; 15) capacità di allineamento automatico su wafer già nanostrutturati e dotati di marker di allineamento sia globali (per l’allineamento dell’intero substrato) sia locali (per l’allineamento sul singolo dispositivo), per garantire lacompatibilità con processi industriali; 16) capacità di correzione della rotazione, del fattore di scala e della deformazione in fase di allineamento susingolo dispositivo; 17) possibilità di effettuare 3D — exposure ovvero a toni di grigio; 18) compatibilità con l'importazione di formati grafici tipo CAD (GDSII, dxf ecc.); 19) possibilità di upgrade con software/hardware migliorativi, quali ad esempio modalità di scrittura senza stitching; 20) caricamento automatico del campione; 21) funzione SEM per esaminare campioni con metrologia ad alta risoluzione. Date le caratteristiche sopra elencate e il prezzo di mercato di un sistema nuovo, non si esclude l'acquisizione di un sistema demo, utilizzato a scopo dimostrativo dal produttore e quindi presumibilmente mantenuto incondizioni ottimali, che coniughi il costo contenuto con le prestazioni richieste. La data di produzione del sistema non dovrà comunque essere antecedente al 1.1.2014. Per ulteriori dettagli si rimanda ai documenti pubblicati sul sito del Committente: www.urp.cnr.it nella sezione Gare in corso.